[发明专利]电性测试结构有效
| 申请号： | 202110436891.5 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113161322B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 唐乃维;周正良 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电性测试结构。所述电性测试结构具有设置在半导体基底上的多个密集区，密集区之间设有离子掺杂区，在密集区内，第一接触孔设置在多个半导体结构之间，每个所述离子掺杂区内形成有第二接触孔，第一接触孔通过横跨在所述半导体结构上的导电结构与临近的第二接触孔电连接，并且还与相对较远的另一第二接触孔通过离子掺杂区连接，所形成的串联电路将多个密集区的第一接触孔串连起来。通过测量串联电路的总电阻可以检测第一接触孔和第二接触孔的电性能情况，进而可以监控生产过程中的制程变化，而且利用所述电性测试结构可以估算在狭窄区域中形成的第一接触孔的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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