[发明专利]电性测试结构

权利要求书

1.一种电性测试结构，其特征在于，包括：

设置在半导体基底上的多个密集区，每个所述密集区具有在所述半导体基底上形成的多个半导体结构和位于所述多个半导体结构之间的第一接触孔；

连接相邻两个密集区的离子掺杂区，每个所述离子掺杂区内形成有第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔均填充有导电材料，所述第二接触孔与所述两个密集区中的一个较近而另一个较远，以所述第二接触孔与相对较远的密集区内的第一接触孔之间的所述离子掺杂区作为第一串联电阻；

横跨在所述半导体结构上的导电结构，所述第二接触孔与相对较近的密集区内的第一接触孔通过所述导电结构电连接，以所述导电结构作为第二串联电阻；

其中，通过串接所述第一串联电阻、所述第二接触孔、所述第二串联电阻、所述第一接触孔而形成连通所述多个密集区的串联电路；所述半导体基底上设置有多个图像传感器像素，相邻的两个所述图像传感器像素各设置有一个迁移晶体管并且共用一复位晶体管，且相邻的两个所述图像传感器像素的迁移晶体管和复位晶体管设置在同一所述密集区，所述迁移晶体管和所述复位晶体管均具有栅极结构，所述半导体结构包括所述栅极结构，所述第一接触孔位于所述复位晶体管的栅极结构和两个所述迁移晶体管的栅极结构围设出的共用区域中。

2.如权利要求1所述的电性测试结构，其特征在于，所述相邻的两个图像传感器像素的迁移晶体管的漏极区共用，且所述迁移晶体管的漏极区还作为所述复位晶体管的源极区，所述第一接触孔用于连接所述复位晶体管的源极区。

3.如权利要求2所述的电性测试结构，其特征在于，所述第二接触孔用于连接所述复位晶体管的漏极区。

4.如权利要求1所述的电性测试结构，其特征在于，利用所述电性测试结构，通过在所述串联电路的两端施加设定工作电压并测量电流，能够获得所述串联电路的总电阻；并且，利用所述总电阻减去全部所述第一串联电阻和所述第二串联电阻，能够得到全部所述第一接触孔和所述第二接触孔的电阻之和。

5.如权利要求4所述的电性测试结构，其特征在于，所述第一串联电阻的阻值通过测量所述半导体基底在所述离子掺杂区的方块电阻获得。

6.如权利要求5所述的电性测试结构，其特征在于，所述导电结构的材料为金属；在计算全部所述第一接触孔和所述第二接触孔的电阻之和时，设定所述第二串联电阻的阻值为0。

7.如权利要求6所述的电性测试结构，其特征在于，所述第一接触孔和所述第二接触孔填充的材料为金属；设定所述第二接触孔的电阻为0，则利用所述电性测试结构得到的总电阻和所述串联电路中第一接触孔的数量，能够得到单个所述第一接触孔的阻值。

8.如权利要求4所述的电性测试结构，其特征在于，所述设定工作电压的范围为1.8V至10V。