[发明专利]相变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110425879.4 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113299827A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 付志成;刘峻;杨海波;彭文林;刘广宇 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘鹤;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：沿第一方向依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直；所述相变存储单元，包括：相变存储层和第一相变层；其中，所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第二方向相对设置的两侧的侧壁；和/或，所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第三方向相对设置的两侧的侧壁；所述第一相变层，用于为所述相变存储层提供成核位点；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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