[发明专利]相变存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

沿第一方向依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直；

所述相变存储单元，包括：相变存储层和第一相变层；其中，

所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第二方向相对设置的两侧的侧壁；

和/或，

所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第三方向相对设置的两侧的侧壁；

所述第一相变层，用于为所述相变存储层提供成核位点；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此垂直。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述相变存储单元还包括：沿所述第一方向层叠设置的第一电极层和第二电极层；

所述相变存储层，位于所述第一电极层和所述第二电极层之间；

所述第一相变层，位于所述第一电极层与所述相变存储层之间；

和/或，

所述第一相变层，位于所述相变存储层与所述第二电极层之间。

3.根据权利要求1或2所述的相变存储器，其特征在于，

所述第一相变层的结晶温度大于所述相变存储层的结晶温度；所述第一相变层的熔化温度大于所述相变存储层的熔化温度。

4.根据权利要求1或2所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括：第二相变层；

所述相变存储层，包括：沿所述第一方向层叠设置的多个相变存储子层；

所述第二相变层，位于相邻的两个所述相变存储子层之间，以用于为所述相变存储子层提供成核位点。

5.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括：第一导电层；其中，

所述第一导电层，位于所述第一电极层与所述相变存储层之间，用于减小所述第一电极层与所述相变存储层之间的接触电阻；

和/或，

所述第一导电层，位于所述相变存储层与所述第二电极层之间，用于减小所述相变存储层与所述第二电极层之间的接触电阻。

6.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成第一导电线；

沿第一方向，在所述第一导电线上形成相变存储单元；其中，所述相变存储单元包括相变存储层和第一相变层；所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第二方向相对设置的两侧的侧壁，和/或，所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第三方向相对设置的两侧的侧壁；所述第一相变层，用于为所述相变存储层提供成核位点；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此垂直；

沿所述第一方向，在所述相变存储单元上形成第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述相变存储单元还包括：沿所述第一方向层叠设置的第一电极层和第二电极层；

所述在所述第一导电线上形成相变存储单元，包括：

在所述第一导电线上形成沿所述第一方向依次层叠设置的所述第一电极层、所述第一相变层、所述相变存储层以及所述第二电极层；

和/或，

在所述第一导电线上形成沿所述第一方向依次层叠设置的所述第一电极层、所述相变存储层、所述第一相变层以及所述第二电极层。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述相变存储单元还包括：第二相变层；所述相变存储层，包括：多个相变存储子层；

所述在所述第一导电线上形成相变存储单元，还包括：

在所述第一导电线上形成沿所述第一方向层叠设置的所述第二相变层和多个所述相变存储子层；其中，所述第二相变层，位于相邻的两个所述相变存储子层之间，以用于为所述相变存储子层提供成核位点。