[发明专利]相变存储器及其制作方法

说明书

本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：沿第一方向依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直；所述相变存储单元，包括：相变存储层和第一相变层；其中，所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第二方向相对设置的两侧的侧壁；和/或，所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第三方向相对设置的两侧的侧壁；所述第一相变层，用于为所述相变存储层提供成核位点；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此垂直。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种相变存储器及其制作方法。

背景技术

相变存储器(Phase Change Memory，PCM)作为作为下一代主流的非易失性存储器，同时具有动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的高速度、高寿命和快闪存储器(Flash Memory)的低成本、非易失的优点。另外，由于其具有低功耗和高集成度等优点，可以用于移动设备中。

相关技术中，沿垂直于衬底方向堆叠设置电极层和相变存储层，通过加热电极层产生的热量传导至相变存储层，使得相变存储层发生相态的转变，可完成相变存储器的写入操作。然而，相变存储层相态转变持续的时间较长，限制了相变存储器写入速度的提高。因此，如何缩短相变存储层相态转变所需的时间，以提高相变存储器的写入速度，成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种相变存储器及其制作方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器，包括：

沿第一方向依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直；

所述相变存储单元，包括：相变存储层和第一相变层；其中，

所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第二方向相对设置的两侧的侧壁；

和/或，

所述第一相变层，覆盖所述相变存储层沿第三方向相对设置的两侧的侧壁；

所述第一相变层，用于为所述相变存储层提供成核位点；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向彼此垂直。

在一些实施例中，所述相变存储单元还包括：沿所述第一方向层叠设置的第一电极层和第二电极层；

所述相变存储层，位于所述第一电极层和所述第二电极层之间；

所述第一相变层，位于所述第一电极层与所述相变存储层之间；

和/或，

所述第一相变层，位于所述相变存储层与所述第二电极层之间。

在一些实施例中，所述第一相变层的结晶温度大于所述相变存储层的结晶温度；所述第一相变层的熔化温度大于所述相变存储层的熔化温度。

在一些实施例中，所述相变存储单元还包括：第二相变层；

所述相变存储层，包括：沿所述第一方向层叠设置的多个相变存储子层；

所述第二相变层，位于相邻的两个所述相变存储子层之间，以用于为所述相变存储子层提供成核位点。

在一些实施例中，所述相变存储单元还包括：第一导电层；其中，

所述第一导电层，位于所述第一电极层与所述相变存储层之间，用于减小所述第一电极层与所述相变存储层之间的接触电阻；

和/或，