[发明专利]在SiC基电子器件中的欧姆接触形成在审
| 申请号： | 202110410319.1 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113539831A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥;G·弗兰科 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫昊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施例涉及在SiC基电子器件中的欧姆接触形成。一种用于制造SiC基电子器件的方法，包括步骤：在由具有N型导电性的SiC构成的固体的前侧上注入P型的掺杂剂物质，因此形成注入区域，该注入区域在固体中从前侧开始延伸并且具有与前侧共面的顶面；以及生成朝向注入区域定向的激光光束，以便将注入区域加热到介于1500℃和2600℃之间的温度，从而在注入区域处形成富碳电接触区域。富碳电接触区域形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | sic 电子器件 中的 欧姆 接触 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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