[发明专利]在SiC基电子器件中的欧姆接触形成

说明书

本申请的实施例涉及在SiC基电子器件中的欧姆接触形成。一种用于制造SiC基电子器件的方法，包括步骤：在由具有N型导电性的SiC构成的固体的前侧上注入P型的掺杂剂物质，因此形成注入区域，该注入区域在固体中从前侧开始延伸并且具有与前侧共面的顶面；以及生成朝向注入区域定向的激光光束，以便将注入区域加热到介于1500℃和2600℃之间的温度，从而在注入区域处形成富碳电接触区域。富碳电接触区域形成欧姆接触。

技术领域

本公开涉及一种SiC基电子器件以及用于制造SiC基电子器件的方法。特别地，本公开涉及在SiC基电子器件中的欧姆类型的电接触区域的形成。

背景技术

半导体材料具有宽带隙，特别是具有大于1.1eV的带隙能量值Eg、低导通电阻(R_ON)、高热导率值、高工作频率和高电荷载流子饱和率，已知这些半导体材料可作为理想材料来用于生产电子组件、诸如二极管或晶体管，特别是用于功率应用。具有以上特性且被设计用于制造电子组件的材料为碳化硅(SiC)。特别地，就先前列出的特性而言，碳化硅以其不同的多形体(例如3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC)而优于硅。

与在硅衬底上提供的类似器件相比，在硅-碳衬底上提供的电子器件具有许多优势，诸如传导中的低输出阻抗、低泄漏电流、高工作温度和高工作频率。特别地，SiC肖特基二极管表现出较高的开关性能，这使得SiC电子器件特别有利于高频应用。目前的应用对器件的电性质以及长期可靠性提出了要求。

发明内容

本公开将提供SiC基电子器件以及用于制造SiC基电子器件的方法，以致克服先前技术的缺点。

本公开针对一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其包括：衬底，具有第一导电类型并且具有第一表面和第二表面；以及第一掺杂区域，具有第二导电类型。在第一掺杂区域中存在第二掺杂区域，第二掺杂区域具有第一导电类型，并且在第一表面上的第一栅与第二掺杂区域的第一边缘重叠。在第一表面上的第二栅与第二掺杂区域的第二边缘重叠，并且第一欧姆接触在第一栅和第二栅之间，第一欧姆接触在第二掺杂区域中，第一欧姆接触在衬底的第二表面和第一表面之间。

附图说明

为了更好地理解本公开，现参照附图仅通过非限制性示例的方式来描述本公开的优选实施例，其中：

图1以横截面图示出了根据已知实施例的MPS器件；

图2A和图2B以横截面图示出了根据已知技术的用于制造图1的MPS器件的中间步骤；以及

图3A至图3C以横截面图示出了根据已知技术的、在图2A和图2B的步骤之后的、用于在图1的MPS器件中的欧姆接触形成的步骤；

图4以俯视图图示了根据已知技术的、由于图3A至图3B的制造步骤而已形成的不希望的区域；

图5以横截面图示出了根据已知实施例的MOSFET器件；

图6以横截面图示出了根据本公开的一实施例的MPS器件；

图7A至图7D以横截面图示出了根据本公开的用于制造图6的MPS器件的步骤；

图8图示了图6的MPS器件的电压-电流曲线；

图9以横截面图图示了根据本公开的一实施例的MOSFET器件；

图10以横截面图示出了根据本公开的一实施例的用于制造图9的MOSFET器件的步骤；以及

图11以横截面图示出了根据本公开的另一实施例的用于制造图9的MOSFET器件的步骤。

具体实施方式

图1在具有X、Y、Z轴的(三轴)笛卡尔参考系中以侧截面图或横截面图示出了已知类型的混合PiN-肖特基(MPS)器件1。