[发明专利]在SiC基电子器件中的欧姆接触形成

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过在具有第二导电类型的掺杂剂的碳化硅SiC衬底的第一侧上注入第一导电类型的掺杂剂，形成第一掺杂区域，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型，所述掺杂区域在固体中从所述第一侧向第二侧延伸，所述掺杂区域具有与所述第一侧的第二表面共面的第一表面；

在所述第一掺杂区域中形成第二掺杂区域，所述第二掺杂区域具有所述第一导电类型；

在所述第一表面上形成第一栅，所述第一栅与所述第二掺杂区域的第一边缘重叠；

在所述第一表面上形成第二栅，所述第二栅与所述第二掺杂区域的第二边缘重叠；以及

在所述第一栅和所述第二栅之间的所述第一掺杂区域处形成第一富碳电接触区域，所述第一接触区域在所述第二掺杂区域中，所述第一接触区域在所述衬底的所述第二表面之间和所述第一表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一富碳电接触区域包括：利用第一激光光束，将所述第一掺杂区域加热到在1500℃和2600℃的范围中的温度，以及在所述掺杂区域内形成一个或多个石墨烯层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一富碳电接触区域包括：在所述第一掺杂区域内形成一个或多个石墨层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在俯视平面图中，所述第一富碳电接触区域具有与所述第一掺杂区域的形状和延伸重合的形状和延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一电接触区域包括：形成具有所述掺杂区域的所述第一表面的第一欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电接触区域具有在1nm和20nm的范围中的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述固体的材料选自4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC、以及15R-SiC中的一种。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括通过以下形成MOSFET：

在所述固体的所述第一侧上形成P型的第一体区域；

在所述第一体区域内形成所述掺杂区域；

在所述固体的所述第一侧上形成P型的第二体区域，所述第二体区域横向于所述第一体区域延伸；

在所述第二体区域中形成N型的源区域；以及

通过利用第二激光光束将所述源区域加热到在1500℃和2600℃的范围中的温度，在所述源区域处形成第二富碳电接触区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第二富碳电接触区域包括：在所述源区域内形成一个或多个层，所述一个或多个层具有石墨烯、石墨、或石墨烯和石墨的组合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二电接触区域具有在1nm和20nm的范围中的厚度。

11.一种器件，包括：

衬底，具有第一导电类型，并且具有第一表面和第二表面；

第一掺杂区域，具有第二导电类型；

在所述第一掺杂区域中的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域具有所述第一导电类型；

在所述第一表面上的第一栅，所述第一栅与所述第二掺杂区域的第一边缘重叠；

在所述第一表面上的第二栅，所述第二栅与所述第二掺杂区域的第二边缘重叠；

在所述第一栅和所述第二栅之间的第一欧姆接触，所述第一欧姆接触在所述第二掺杂区域中，所述第一欧姆接触在所述衬底的所述第二表面和所述第一表面之间。