[发明专利]一种基于通硅电容可配置的三维均衡器及其参数设计方法有效
| 申请号： | 202110396726.1 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113315483B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 杨力宏;朱樟明;单光宝;李竹萌;李国良;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H7/06 | 分类号： | H03H7/06;G06F30/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于通硅电容可配置的三维均衡器，包括：开关控制模块SC1、开关模块S1、注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、开关控制模块SC2、开关模块S2、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2，其中，所述开关模块S1和开关模块S2部署有控制端和双向端口，开关控制模块SC1、开关控制模块SC2、所述注入电阻阵列R1、注入电阻阵列R2、通硅电容阵列C1和通硅电容阵列C2部署有双向端口；所述注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2部署于硅基板中。本发明能够提高三维集成的RC无源均衡器的集成度和可靠性，并且易配置、实用性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电容 配置 三维 均衡器 及其 参数 设计 方法 | ||
【主权项】：
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