[发明专利]一种基于通硅电容可配置的三维均衡器及其参数设计方法

说明书

本发明公开了一种基于通硅电容可配置的三维均衡器，包括：开关控制模块SC1、开关模块S1、注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、开关控制模块SC2、开关模块S2、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2，其中，所述开关模块S1和开关模块S2部署有控制端和双向端口，开关控制模块SC1、开关控制模块SC2、所述注入电阻阵列R1、注入电阻阵列R2、通硅电容阵列C1和通硅电容阵列C2部署有双向端口；所述注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2部署于硅基板中。本发明能够提高三维集成的RC无源均衡器的集成度和可靠性，并且易配置、实用性高。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种基于通硅电容可配置的三维均衡器及其参数设计方法。

背景技术

在高速数据传输技术中，通常采用均衡技术补偿信号，以使有限带宽的信道能够传输更高的信号速率。

现有技术中，如专利CN108964627A提出了针对屏蔽差分硅通孔的RC无源均衡结构，该结构采用片上电阻和片上电容，所述结构会增加无源均衡结构整体的纵向尺寸和横向面积，导致无源均衡结构整体的集成度较低。

并且，现有技术中为了使均衡器达到最佳的工作效果，通常需要在均衡器的实际应用过程中推导片上电阻和片上电容等组件的参数信息，所述参数信息的推导过程复杂，需要大量精确和繁琐的计算，以及在推导过程中所用的工艺参数还由代工线决定，通常代工线处于商业保密等因素，不会公布所用的工艺参数信息，因此，技术人员无法准确快速地获取所述参数信息，造成均衡器使用不便，进一步地，由于代工线工艺批次的差异，也会造成工作效果与设计之间出现差异。

另外，现有技术中均衡结构都需要在硅衬底之上进行多层布线，该方式增加了工艺的复杂性和成本，降低了生产效率和成品率。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于通硅电容可配置的三维均衡器及其参数设计方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种基于通硅电容可配置的三维均衡器，包括：开关控制模块SC1、开关模块S1、注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、开关控制模块SC2、开关模块S2、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2，其中，所述开关模块S1和开关模块S2部署有控制端和双向端口，开关控制模块SC1、开关控制模块SC2、所述注入电阻阵列R1、注入电阻阵列R2、通硅电容阵列C1和通硅电容阵列C2部署有双向端口；所述注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2部署于硅基板上；所述开关模块S1的控制端与所述开关控制模块SC1连接，所述开关模块S1的第一双向端口与信号输入端连接，所述开关模块S1的第二双向端口分别与所述注入电阻阵列R1的第一双向端口和所述通硅电容阵列C1的第一双向端口连接；所述注入电阻阵列R1的第二双向端口和所述通硅电容阵列C1的第二双向端口，分别与信号输出端连接；所述开关模块S2的控制端与所述开关控制模块SC2连接，所述开关模块S2的第一双向端口与所述信号输出端连接，所述开关模块S2的第二双向端口分别与所述注入电阻阵列R2的第一双向端口和所述通硅电容阵列C2的第一双向端口连接；所述注入电阻阵列R2的第二双向端口和所述通硅电容阵列C2的第二双向端口分别与地线连接。