[发明专利]一种基于通硅电容可配置的三维均衡器及其参数设计方法

权利要求书

1.一种基于通硅电容可配置的三维均衡器，其特征在于，包括：开关控制模块SC1、开关模块S1、注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、开关控制模块SC2、开关模块S2、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2，其中，所述开关模块S1和开关模块S2部署有控制端和双向端口，开关控制模块SC1、开关控制模块SC2、所述注入电阻阵列R1、注入电阻阵列R2、通硅电容阵列C1和通硅电容阵列C2部署有双向端口；

所述注入电阻阵列R1、通硅电容阵列C1、注入电阻阵列R2和通硅电容阵列C2部署于硅基板中；

所述开关模块S1的控制端与所述开关控制模块SC1连接，所述开关模块S1的第一双向端口与信号输入端连接，所述开关模块S1的第二双向端口分别与所述注入电阻阵列R1的第一双向端口和所述通硅电容阵列C1的第一双向端口连接；

所述注入电阻阵列R1的第二双向端口和所述通硅电容阵列C1的第二双向端口，分别与信号输出端连接；

所述开关模块S2的控制端与所述开关控制模块SC2连接，所述开关模块S2的第一双向端口与所述信号输出端连接，所述开关模块S2的第二双向端口分别与所述注入电阻阵列R2的第一双向端口和所述通硅电容阵列C2的第一双向端口连接；

所述注入电阻阵列R2的第二双向端口和所述通硅电容阵列C2的第二双向端口分别与地线连接。

2.根据权利要求1所述的均衡器，其特征在于，所述开关控制模块SC1部署有第一多路选择器芯片，所述第一多路选择器芯片对应有输出端，所述开关模块S1部署有第一开关芯片，所述第一开关芯片对应有多个第一注入电阻开关管和第一通硅电容开关管；

所述开关模块S1的控制端与所述开关控制模块SC1连接，包括：

所述开关控制模块SC1的第一多路选择器芯片对应的输出端，通过所述开关模块S1的控制端，分别与所述开关模块S1的第一注入电阻开关管和第一通硅电容开关管的栅极连接；

所述开关模块S1的第一双向端口与信号输入端连接，包括：

所述信号输入端通过所述开关模块S1的第一双向端口，与所述开关模块S1的第一注入电阻开关管和第一通硅电容开关管的源极连接；

所述开关模块S1的第二双向端口分别与所述注入电阻阵列R1的第一双向端口和所述通硅电容阵列C1的第一双向端口连接，包括：

所述开关模块S1的第一注入电阻开关管通过第二双向端口与注入电阻阵列R1的第一双向端口连接；

所述开关模块S1的第一通硅电容开关管通过第二双向端口与通硅电容阵列C1的第一双向端口连接。

3.根据权利要求1所述的均衡器，其特征在于，所述开关控制模块SC2部署有第二多路选择器芯片，所述第二多路选择器芯片对应有输出端，所述开关模块S2的部署有第二开关芯片，所述第二开关芯片对应有多个第二注入电阻开关管和第二通硅电容开关管；

所述开关模块S2的控制端与所述开关控制模块SC2连接，包括：

所述开关控制模块SC2的第二多路选择器芯片对应的输出端，通过所述开关模块S2的控制端，分别与所述开关模块S2的第二注入电阻开关管和第二通硅电容开关管的栅极连接；

所述开关模块S2的第一双向端口与所述信号输出端连接，包括：

所述开关模块S2中第二注入电阻开关管和第二通硅电容开关管的源极通过第一双向端口，与信号输出端连接；

所述开关模块S2的第二双向端口分别与所述注入电阻阵列R2的第一双向端口和所述通硅电容阵列C2的第一双向端口连接，包括：

所述开关模块S2中第二注入电阻开关管通过所述开关模块S2的第二双向端口与所述注入电阻阵列R2的第一双向端口连接；

所述开关模块S2中第二通硅电容开关管通过所述开关模块S2的第二双向端口与所述通硅电容阵列C2的第一双向端口连接。

4.根据权利要求1所述的均衡器，其特征在于，还包括：再布线层和硅通孔，所述再布线层包括正面再布线层和背面再布线层，其中，所述再布线层用于进行双向端口连接；所述硅通孔贯穿于所述硅基板，所述正面再布线层和所述背面再布线层分别位于所述硅基板的正表面和背表面；

所述正面再布线层通过所述硅通孔与所述背面再布线层连接；

所述正面再布线层与所述地线连接，以形成屏蔽环。