[发明专利]半导体元件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110396400.9 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114530467A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 黄振浩;卢皓彦;许隨赢;李玥瑩;吴建瑩;赖佳平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其形成方法，在半导体基板的硅层中形成至少一个掺杂硅区域，并且在硅层上方形成氧化硅层。含锗材料部形成在半导体基板中，以提供p‑n结或p‑i‑n结。p‑n结或p‑i‑n结具有含锗材料部和至少一个掺杂硅区域之一。在含锗材料部上方形成不含锗的覆盖材料层。在氧化硅层和覆盖材料层上方形成第一介电材料层。第一介电材料层包括凸台区域。凸台区域从含锗材料部抬升一个覆盖材料层的厚度。覆盖材料层可以是硅覆盖层，或者可以随后被去除以形成空腔。含锗材料部的暗电流减少了。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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