[发明专利]半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一半导体基板，包含一硅层以及被该硅层横向围绕的一含锗材料部；

一氧化硅层，覆盖该半导体基板，其中该含锗材料部被该氧化硅层横向围绕；以及

一第一介电材料层，覆盖该氧化硅层并且包含自该含锗材料部凸起的一凸台区域，其中不含一固相材料的一封装空腔位于该含锗材料部以及该第一介电材料层的该凸台区域之间，并且该封装空腔包含至少一通腔，该至少一通腔延伸至该第一介电材料层的该凸台区域中。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该封装空腔的一横向延伸部在该含锗材料部的一表面以及该第一介电材料层的一表面之间垂直延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含覆盖该第一介电材料层的一第二介电材料层，其中该第二介电材料层的一部位接触该至少一通腔的一侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含：

一第二介电材料层，覆盖该第一介电材料层并且于该凸台区域上方从该含锗材料部垂直地突伸；

一第三介电材料层，覆盖该第二介电材料层；以及

一第四介电材料层，覆盖该第三介电材料层，其中该至少一通腔垂直延伸至该第二介电材料层以及该第三介电材料层中，并且该第四介电材料层的一部分与该至少一通腔的一侧壁接触。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含嵌入于该硅层中的至少一掺杂硅区域，其中该半导体元件包含位于该至少一掺杂硅区域的一者以及该含锗材料部之间的一p-n结或一p-i-n结。

6.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一半导体基板，包含一硅层以及被该硅层横向围绕的一含锗材料部；

一氧化硅层，覆盖该半导体基板，其中该含锗材料部被该氧化硅层横向围绕；

一硅覆盖层，与该含锗材料部的一顶面接触；以及

一第一介电材料层，覆盖该氧化硅层以及该硅覆盖层并且包含一凸台区域，该凸台区域自该含锗材料部以该硅覆盖层的一厚度凸起。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该硅覆盖层接触该含锗材料部的该顶面的一整体。

8.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包含：

形成至少一掺杂硅区域于一半导体基板的一硅层中；

形成一氧化硅层于该硅层上方；

形成一沟渠通过该氧化硅层以及该硅层的一上部；

形成一含锗材料部于该沟渠中，其中具有该含锗材料部以及该至少一掺杂硅区域的一者的一p-n结或一p-i-n结是形成；

形成不含锗的一覆盖材料层于该含锗材料部上方；以及

形成一第一介电材料层于该氧化硅层以及该覆盖材料层上方，其中该第一介电材料层包含一凸台区域，该凸台区域自该含锗材料部以该覆盖材料层的一厚度凸起。

9.根据权利要求8所述的半导体元件的形成方法，其特征在于：

形成至少一通腔通过该第一介电材料层；以及

通过去除对于该含锗材料部以及该第一介电材料层有选择性的该覆盖材料层形成一横向延伸空腔。

10.根据权利要求8所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，该覆盖材料层包含一硅覆盖层。