[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110382324.6 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN114078506A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 韩在贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C7/12;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供的可以是半导体器件。该半导体器件可以包括：包含字线的层叠物，穿透层叠物的位线；全局位线，其被设置在层叠物上方；全局字线，其被设置在层叠物上方；公共选择线，其被设置在层叠物上方；第一接触插塞，其将全局位线和位线彼此耦接并穿透公共选择线；第二接触插塞，其将全局字线和字线分别彼此耦接并穿透公共选择线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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