[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包含字线的层叠物；

穿透所述层叠物的位线；

被设置在所述层叠物上方的全局位线；

被设置在所述层叠物上方的全局字线；

被设置在所述层叠物上方的公共选择线；

第一接触插塞，其将所述全局位线和所述位线彼此耦接并穿透所述公共选择线；和

第二接触插塞，其将所述全局字线和所述字线彼此分别耦接并穿透所述公共选择线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述公共选择线共同控制所述全局位线和所述位线之间的耦接以及所述全局字线和所述字线之间的耦接。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一栅极绝缘层，其被插入在所述第一接触插塞和所述公共选择线之间；和

第二栅极绝缘层，其被插入在所述第二接触插塞和所述公共选择线之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一选择晶体管，其被设置在所述第一接触插塞和所述公共选择线相交的区域中；和

第二选择晶体管，其被设置在所述第二接触插塞和所述公共选择线相交的区域中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述公共选择线在由第一方向和第二方向限定的横截面上完全包围所述第一接触插塞的侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述公共选择线在由第一方向和第二方向限定的横截面上部分地包围所述第一接触插塞的侧壁。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述公共选择线被设置在所述全局位线和所述位线之间，并且被设置在所述全局字线和所述字线之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述字线包括奇数字线和偶数字线，以及所述位线被设置在奇数字线和偶数字线对之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一选择晶体管，所述第一选择晶体管被设置在所述第一接触插塞和所述公共选择线相交的区域中，并且，当选择电压被施加到所述公共选择线上时，所述第一选择晶体管导通。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

第一选择晶体管，所述第一选择晶体管被设置在所述第二接触插塞和所述公共选择线相交的区域中，并且，当所述选择电压被施加到所述公共选择线上时，所述第二选择晶体管导通。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，当非选择电压被施加到所述公共选择线时，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管截止。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述字线包括偶数字线和奇数字线，并且所述全局字线包括偶数全局字线和奇数全局字线，并且

所述半导体器件还包括：第二偶数选择晶体管，所述第二偶数选择晶体管被设置在耦接到所述偶数全局字线的第二接触插塞与所述公共选择线相交的区域中；以及第二奇数选择晶体管，所述第二奇数选择晶体管被设置在耦接到所述奇数全局字线的第二接触插塞与所述公共选择线相交的区域中。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，当将选择电压施加到所述公共选择线时，所述第一选择晶体管、所述第二偶数选择晶体管和所述第二奇数选择晶体管导通。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述字线沿第一方向延伸，并且所述全局位线和所述全局字线沿与所述第一方向相交的第二方向延伸。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述公共选择线在所述第一方向上延伸。