[发明专利]半导体器件

说明书

本文提供的可以是半导体器件。该半导体器件可以包括：包含字线的层叠物，穿透层叠物的位线；全局位线，其被设置在层叠物上方；全局字线，其被设置在层叠物上方；公共选择线，其被设置在层叠物上方；第一接触插塞，其将全局位线和位线彼此耦接并穿透公共选择线；第二接触插塞，其将全局字线和字线分别彼此耦接并穿透公共选择线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年8月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0101348的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体上涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种包括存储器的半导体器件。

背景技术

为了顺应现代电子设备的尺寸减小、功耗降低、性能提高、多样化等的趋势，诸如计算机、便携式通信设备等各种电子设备需要用于存储信息的半导体器件。因此，正在进行对能够通过使用根据施加的电压或电流在不同电阻状态之间切换的特性来存储数据的半导体器件的研究。半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)，E熔丝等。

发明内容

本公开的各种实施例针对一种能够增强存储单元运行特性和可靠性的电子设备。

本公开的实施例可以提供一种半导体器件。该半导体器件可以包括：层叠物，其包括字线；穿透层叠物的位线；布置在层叠物上方的全局位线；布置在层叠物上方的全局字线；布置在层叠物上方的公共选择线；第一接触插塞，其将全局位线和位线彼此耦接并穿透公共选择线；以及第二接触插塞，其分别将全局字线和字线彼此耦接并穿透公共选择线。

本公开的实施例可以提供一种半导体器件。该半导体器件可以包括位线、字线、耦接在位线和字线之间的电阻存储单元、被配置为控制全局位线和位线之间的耦接的第一选择晶体管、被配置为控制全局字线和字线之间的耦接的第二选择晶体管、以及被配置为共同控制第一选择晶体管和第二选择晶体管的公共选择线。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的半导体器件的结构的视图。

图2是用于说明根据本公开实施例的半导体器件的结构的视图。

图3A和图3B是用于说明根据本公开实施例的半导体器件的结构和操作方法的视图。

图4是用于说明根据本公开实施例的半导体器件的结构的视图。

图5A和图5B是用于说明根据本公开实施例的半导体器件的结构和操作方法的视图。

图6是根据本公开的实施例的用于实现存储设备的微处理器的配置图。

图7是根据本公开的实施例的用于实现存储设备的处理器的配置图。

图8是根据本公开的实施例的用于实现存储设备的系统的配置图。

图9是根据本公开的实施例的用于实现存储设备的数据储存系统的配置图。

图10是根据本公开的实施例的用于实现存储设备的存储器系统的配置图。

具体实施方式

在本说明书或申请中引入的本公开的实施例中的特定结构或功能描述仅用于描述本公开的实施例。该描述不应被解释为限于说明书或申请中描述的实施例。

图1是示出根据本公开的实施例的半导体器件的结构的视图。

参照图1，半导体器件可以包括层叠物ST、位线BL、全局位线GBL、全局字线GWL和公共选择线C_SL。半导体器件可以进一步包括基底10、绝缘间隔物14、层间绝缘层16、第一接触插塞CT1或第二接触插塞CT2或它们的组合。