[发明专利]存储器装置有效
| 申请号： | 202110375096.X | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113540104B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙文堂;许家荣;陈学威 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀锋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置，包括第一阱、第二阱、第三阱、浮动栅极层、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、沟槽隔离层及字线接点。所述第二阱位于所述第一阱上，且包括第一部分及第二部分。所述第三阱包括第一部分及第二部分，分别位于所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分上。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区及所述第三掺杂区位于所述第三阱的所述第一部分。所述沟槽隔离层用以隔离所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分，且隔离所述第三阱的所述第一部分及所述第二部分。所述字线接点设置于所述第三阱区的所述第二部分上，用以接收字线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
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