[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括：

第一阱；

第二阱，位于所述第一阱上，包括第一部分，及第二部分；

第三阱，包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述第二阱的所述第一部分上，所述第二部分位于所述第二阱的所述第二部分上；

浮动栅极层，位于所述第三阱上方；

第一掺杂区，位于所述第三阱的所述第一部分；

第二掺杂区，位于所述第三阱的所述第一部分；

第三掺杂区，位于所述第三阱的所述第一部分，且相邻于所述第一掺杂区；沟槽隔离层，用以隔离所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分，且隔离所述第三阱的所述第一部分及所述第二部分；及

字线接点，设置于所述第三阱区的所述第二部分上，用以接收字线电压。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阱为p型阱，且所述第二阱及所述第三阱为n型阱。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

第四阱，位于所述第一阱的下方，具有相异于所述第一阱的掺杂类型。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述浮动栅极层及所述第三阱的所述第一部分有第一重迭面积；所述浮动栅极层及所述第三阱的所述第二部分有第二重迭面积；且所述第一重迭面积小于所述第二重迭面积。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

第一氧化层，位于所述第三阱的所述第一部分及所述浮动栅极层之间；及

第二氧化层，位于所述第三阱的所述第二部分及所述浮动栅极层之间。

6.如权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

源极线接点，设置于所述第一掺杂区及所述第三掺杂区之间的接触面上，用以接收源极线电压。

7.如权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

位线接点，设置于所述第二掺杂区上，用以接收位线电压。

8.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

第一阱接点，设置于所述第一阱以接收第一阱电压。

9.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，还包括：

第二阱接点，设置于所述第二阱的所述第一部分以接收第二阱电压。

10.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区为p型掺杂区，且所述第三掺杂区为n型掺杂区。