[发明专利]存储器装置

说明书

本发明公开了一种存储器装置，包括第一阱、第二阱、第三阱、浮动栅极层、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、沟槽隔离层及字线接点。所述第二阱位于所述第一阱上，且包括第一部分及第二部分。所述第三阱包括第一部分及第二部分，分别位于所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分上。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区及所述第三掺杂区位于所述第三阱的所述第一部分。所述沟槽隔离层用以隔离所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分，且隔离所述第三阱的所述第一部分及所述第二部分。所述字线接点设置于所述第三阱区的所述第二部分上，用以接收字线电压。

技术领域

本发明涉及存储器装置，尤指包括使用相同光罩产生复数个阱的存储器装置。

背景技术

随着电子产品不断进步，存储器的重要性也不断增加。关于存储器装置的特性，常见的需求为期望可缩小存储器所占的面积、提高存取的速度及降低功耗等。

然而，达到以上目标并非易事。目前本领域习用的存储器装置，常须包含至少两晶体管，且须搭配额外的擦除栅极，才可正常操作，因此装置面积难以缩减。为了制造上述结构，相较于制造标准元件，还须额外使用两光罩或更多光罩，故导致制程成本也难以降低。

因此，本领域仍欠缺适宜的解决方案，以达到节省面积、提高存取速度、降低制程成本与节省功耗的功效。

发明内容

一种存储器装置，包括第一阱；第二阱，位于所述第一阱上，包括第一部分，及第二部分；第三阱，包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述第二阱的所述第一部分上，所述第二部分位于所述第二阱的所述第二部分上；浮动栅极层，位于所述第三阱上方；第一掺杂区，位于所述第三阱的所述第一部分；第二掺杂区，位于所述第三阱的所述第一部分；第三掺杂区，位于所述第三阱的所述第一部分，且相邻于所述第一掺杂区；沟槽隔离层，用以隔离所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分，且隔离所述第三阱的所述第一部分及所述第二部分；及字线接点，设置于所述第三阱区的所述第二部分上，用以接收字线电压。

附图说明

图1为实施例中，存储器装置的上视图。

图2为图1的存储器装置沿着切线2-2’的剖面图。

图3至图7为不同实施例中，当执行写入操作时，字线电压由第一电压上升到第二电压的波形图。

图8为实施例中，存储器装置的制造方法之流程图。

其中，附图标记说明如下：

100                                存储器装置

110                                第一阱

120                                第二阱

1201,1301                          第一部分

1202,1302                          第二部分

130                                第三阱

140                                第四阱

155                                浮动栅极层

161                                第一掺杂区

162                                第二掺杂区

163                                第三掺杂区