[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110348268.4 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097147B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;刘忠明 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构制作方法及半导体结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决半导体结构稳定性和半导体器件的性能较低的技术问题，包括：提供设有多个间隔设置的有源区的基底；在基底上依次形成第一叠层结构和第一光刻胶层；对第一光刻胶层负显影，形成第一图案；沿第一图案刻蚀第一叠层结构，在第一叠层结构中形成第二图案；以具有第二图案的第一叠层结构为掩膜，刻蚀基底至预设深度以形成凹陷，保留的基底上形成多个间隔设置的凸台，凹陷环绕凸台，凸台间暴露有源区。通过对第一光刻胶层一次负显影，且对第一叠层结构一次刻蚀，避免了两次显影、刻蚀的对准问题，降低了凸台间桥接可能性，提高半导体结构的稳定性和半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
