[发明专利]一种超低方阻及低反射率导电膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110344692.1 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113096852B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 程武;郑建万;黄永祥;董剑;程志敏;师长明 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻显示器件有限公司;中国南玻集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443000 湖北省宜*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种超低方阻及低反射率导电膜，该导电膜具体结构包括由下至上设置的基材层、有机硅预涂层、无机物层、导电功能层、黑化层和保护层；其中无机物层为硅或者氧化物，导电功能层为铜或者铜合金层；黑化层为铜或者铜合金的氧化物、碳化物或氮化物；保护层为纳米级氧化物。本发明公开的导电膜可实现方阻低于0.1Ω/□，波长550nm时表面反射率低于15%，且导电层对于基材的附着力达到JIS K 5600标准≥4B。该产品可以应用在超大尺寸触控产品上，同时具有好的消影效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超低方阻 反射率 导电 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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