[发明专利]一种超低方阻及低反射率导电膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种超低方阻及低反射率导电膜，其特征在于：该导电膜的方阻低于0.1Ω/□，波长550nm时表面反射率低于15%；导电膜具体结构包括由下至上设置的基材层、有机硅预涂层、无机物层、导电功能层、黑化层和保护层；其中基材层为PET、PMMA、TAC、PP、PE、PI、PC或COP材质的透明薄膜，厚度为20~200μm；有机硅预涂层为硅烷偶联剂，干膜厚度为2~50nm；无机物层为纯硅、氧化硅、氧化锆、氧化铝或氧化钛，厚度5~20nm；导电功能层为铜、铜镍合金或铜镍钛合金，厚度300nm~2000nm；黑化层为铜或者铜合金的氧化物、碳化物或氮化物，厚度为20nm~200nm；保护层为纳米级氧化硅、氧化锆、氧化铝或氧化钛，厚度5~20nm。

2.根据权利要求1所述的超低方阻及低反射率导电膜，其特征在于：所述有机硅预涂层厚度在3~20nm。

3.制备权利要求1~2任一项所述超低方阻及低反射率导电膜的方法，其特征在，具体步骤为：

S1、采用为湿法涂布工艺，在基材表面涂布一层含硅有机物作为预涂层；

S2、在预涂层表面依次溅射无机物层、导电功能层、黑化层及保护层；即得超低方阻及低反射率导电膜。

4.权利要求1~2任意一项所述超低方阻及低反射率导电膜在大尺寸触摸屏领域中的应用。