[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110340736.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115148897A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 吴玉雷 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的制备方法及半导体结构；半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底中形成底部接触结构；在所述底部接触结构上形成存储单元；形成包覆所述存储单元的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括多个交替布置的介质层和屏蔽层。本发明能够使得半导体结构利用上述屏蔽层和介质层实现对电磁场的多重反射以及吸收，以实现对电磁场更佳的屏蔽效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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