[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成底部接触结构；

在所述底部接触结构上形成存储单元；

形成包覆所述存储单元的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括多个交替布置的介质层和屏蔽层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述屏蔽结构包括依次包覆在所述存储单元上的第一介质层、第一屏蔽层、第二介质层和第二屏蔽层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底中形成底部接触结构的方法，包括：

在所述衬底上依次形成第三屏蔽材料层、第三介质材料层、第四屏蔽材料层和第四介质材料层；

在所述衬底中形成若干底部接触孔，所述底部接触孔贯穿所述第三屏蔽材料层、所述第三介质材料层、所述第四屏蔽材料层和所述第四介质材料层；

在所述底部接触孔中填充导电材料。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述底部接触结构上形成存储单元的方法，包括：

在所述第四介质材料层上依次底部电极材料层、自由材料层、隧穿势垒材料层、固定材料层和顶部电极材料层；

在所述顶部电极材料层上形成具有开口图案的掩膜层；

利用所述掩膜层刻蚀所述底部电极材料层、所述自由材料层、所述隧穿势垒材料层、所述固定材料层和所述顶部电极材料层以在所述第四介质材料层上形成若干分立的存储单元，其中，所述存储单元与所述底部接触结构一一对应连接。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成包覆所述存储单元的屏蔽结构的方法，包括：

在所述存储单元的表面形成第五介质材料层；

部分去除所述存储单元之间的所述第四介质材料层；

在所述第五介质材料层的表面形成第五屏蔽材料层；

部分去除所述存储单元之间的所述第四屏蔽材料层；

部分去除所述存储单元之间的所述第三介质材料层；

在所述第五屏蔽材料层的表面形成第六介质材料层；

在所述第六介质材料层的表面形成第六屏蔽材料层；

部分去除所述存储单元之间的所述第三屏蔽材料层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

所述部分去除所述存储单元之间的所述第四介质材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第五介质材料层下方的所述第四介质材料层；

所述部分去除所述存储单元之间的所述第四屏蔽材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第五屏蔽材料层下方的所述第四屏蔽材料层；

所述部分去除所述存储单元之间的所述第三介质材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第五屏蔽材料层下方的所述第三介质材料层；

所述部分去除所述存储单元之间的所述第三屏蔽材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第六屏蔽材料层下方的所述第三屏蔽材料层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

所述第一介质层包括连为一体的所述第五介质材料层和所述第四介质材料层；

所述第一屏蔽层包括连为一体的所述第五屏蔽材料层和所述第四屏蔽材料层；

所述第二介质层包括连为一体的所述第三介质材料层和所述第六介质材料层；

所述第二屏蔽层包括连为一体的所述第三屏蔽材料层和所述第六屏蔽材料层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述存储单元上形成顶部接触结构，所述顶部接触结构穿过所述屏蔽层并与所述顶部电极材料层连接。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的底部接触结构以及存储单元，所述底部接触结构与所述存储单元的底部连接；

屏蔽结构，所述屏蔽结构包覆在所述存储单元的外周，其中，所述屏蔽结构包括多个交替布置的介质层和屏蔽层。