[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

说明书

本发明提出一种半导体结构的制备方法及半导体结构；半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底中形成底部接触结构；在所述底部接触结构上形成存储单元；形成包覆所述存储单元的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括多个交替布置的介质层和屏蔽层。本发明能够使得半导体结构利用上述屏蔽层和介质层实现对电磁场的多重反射以及吸收，以实现对电磁场更佳的屏蔽效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

背景技术

磁性随机存储器(MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory)的信息存储功能，是通过存储器结构中的磁性隧道结(MTJ，magnetic tunnel junction)的磁极化而实现。然而磁性隧道结的磁极化可能会受到外部电磁场的影响。例如，外部电磁场会扭曲或者改变磁性隧道结的自旋方向，因此可能会对存储的信息造成干扰。现有的磁性随机存储器采用芯片级的屏蔽结构，无法提供对外部电磁场的较强的抗干扰功能。

发明内容

本发明提供了一种针对外部电磁场具有较佳屏蔽效果的半导体结构的制备方法。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

根据本发明的一个方面，提供一种半导体结构的制备方法；其中，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底中形成底部接触结构；在所述底部接触结构上形成存储单元；形成包覆所述存储单元的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括多个交替布置的介质层和屏蔽层。

可选的，所述屏蔽结构包括依次包覆在所述存储单元上的第一介质层、第一屏蔽层、第二介质层和第二屏蔽层。

可选的，所述在所述衬底中形成底部接触结构的方法，包括：在所述衬底上依次形成第三屏蔽材料层、第三介质材料层、第四屏蔽材料层和第四介质材料层；在所述衬底中形成若干底部接触孔，所述底部接触孔贯穿所述第三屏蔽材料层、所述第三介质材料层、所述第四屏蔽材料层和所述第四介质材料层；在所述底部接触孔中填充导电材料。

可选的，所述在所述底部接触结构上形成存储单元的方法，包括：在所述第四介质材料层上依次底部电极材料层、自由材料层、隧穿势垒材料层、固定材料层和顶部电极材料层；在所述顶部电极材料层上形成具有开口图案的掩膜层；利用所述掩膜层刻蚀所述底部电极材料层、所述自由材料层、所述隧穿势垒材料层、所述固定材料层和所述顶部电极材料层以在所述第四介质材料层上形成若干分立的存储单元，其中，所述存储单元与所述底部接触结构一一对应连接。

可选的，所述形成包覆所述存储单元的屏蔽结构的方法，包括：在所述存储单元的表面形成第五介质材料层；部分去除所述存储单元之间的所述第四介质材料层；在所述第五介质材料层的表面形成第五屏蔽材料层；部分去除所述存储单元之间的所述第四屏蔽材料层；部分去除所述存储单元之间的所述第三介质材料层；在所述第五屏蔽材料层的表面形成第六介质材料层；在所述第六介质材料层的表面形成第六屏蔽材料层；部分去除所述存储单元之间的所述第三屏蔽材料层。

可选的，所述部分去除所述存储单元之间的所述第四介质材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第五介质材料层下方的所述第四介质材料层；所述部分去除所述存储单元之间的所述第四屏蔽材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第五屏蔽材料层下方的所述第四屏蔽材料层；所述部分去除所述存储单元之间的所述第三介质材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第五屏蔽材料层下方的所述第三介质材料层；所述部分去除所述存储单元之间的所述第三屏蔽材料层的步骤中，保留所述存储单元侧壁上的所述第六屏蔽材料层下方的所述第三屏蔽材料层。

可选的，所述第一介质层包括连为一体的所述第五介质材料层和所述第四介质材料层；所述第一屏蔽层包括连为一体的所述第五屏蔽材料层和所述第四屏蔽材料层；所述第二介质层包括连为一体的所述第三介质材料层和所述第六介质材料层；所述第二屏蔽层包括连为一体的所述第三屏蔽材料层和所述第六屏蔽材料层。