[发明专利]一种二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202110336163.7 申请日: 2021-03-29
公开(公告)号: CN113151857A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 侯阳;魏浩;杨彬;雷乐成 申请(专利权)人: 浙江大学衢州研究院;浙江大学
主分类号: C25B11/091 分类号: C25B11/091;C25B1/04;C01G39/06;C25B1/01;C25B1/50;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 何秋霞;胡红娟
地址: 324000 浙江省衢*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及纳米材料制备技术领域,具体涉及一种二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片及其制备方法和应用,制备方法包括步骤:(1)将二硫化钼粉末作为工作电极,在含有镍盐和电解质的N,N‑二甲基甲酰胺电解液中电化学剥离,得到镍掺杂的二硫化钼;(2)过滤收集镍掺杂的二硫化钼,洗涤、干燥后在分散溶液中超声处理;(3)将超声处理后的悬浮液离心分离、冷冻干燥,得到镍掺杂二硫化钼纳米片。该方法制备的二维超薄镍掺杂的二硫化钼纳米片平均厚度不大于5nm,具有超薄层状结构,厚度均匀,结晶性好的优点,用于电解水阴极材料,在碱性溶液中具有优异的电化学析氢性能以及良好的稳定性。
搜索关键词: 一种 二维 超薄 掺杂 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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