[发明专利]一种二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110336163.7 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113151857A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 侯阳;魏浩;杨彬;雷乐成 | 申请(专利权)人: | 浙江大学衢州研究院;浙江大学 |
主分类号: | C25B11/091 | 分类号: | C25B11/091;C25B1/04;C01G39/06;C25B1/01;C25B1/50;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 何秋霞;胡红娟 |
地址: | 324000 浙江省衢*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 超薄 掺杂 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将二硫化钼粉末通过导电银胶固定在铜胶带上作为工作电极,在含有镍盐和电解质的N,N-二甲基甲酰胺电解液中电化学剥离,得到镍掺杂的二硫化钼;
(2)过滤收集电解液中镍掺杂的二硫化钼,洗涤、干燥后在分散溶液中超声处理;
(3)将超声处理后的悬浮液离心分离、冷冻干燥,得到所述二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片。
2.根据权利要求1所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,所述二硫化钼粉末的制备方法包括如下步骤:将硫粉和钼粉研磨后密封在真空石英玻璃管中,900~1000℃下加热混合物2~5h,冷却后得到所述二硫化钼粉末。
3.根据权利要求1所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,所述镍盐包括氯化镍、醋酸镍、硫酸镍、硝酸镍中任一种。
4.根据权利要求1所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,所述电解质包括四丁基溴化铵、四丙基溴化铵、四乙基溴化铵中的任一种。
5.根据权利要求1所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,步骤(1)中电化学剥离的负电压为-1~-10V;电化学剥离的时间为20~40min。
6.根据权利要求1所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,步骤(2)中超声处理的功率为300~500W,时间为1~2h。
7.根据权利要求1所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,步骤(2)中分散溶液包括N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜中任一种。
8.根据权利要求1所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,步骤(3)中悬浮液的离心分离采用低速离心和高速离心的方法,具体包括步骤:
(1)低速离心:转速2000~4000rpm,离心时间20~30min,取上清液;
(2)高速离心:转速8000~12000rpm,离心时间20~30min,取沉淀物;
(3)洗涤:采用无水乙醇和水分别洗涤沉淀物1~3次,离心转速8000~12000rpm,离心时间20~30min。
9.一种根据权利要求1~8任一项所述的制备方法制备得到的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片,其特征在于,所述二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片的平均厚度不大于5nm。
10.根据权利要求9所述的二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片在电化学析氢中的应用。
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