[发明专利]一种存储系统性能调节方法及存储系统在审
| 申请号： | 202110335356.0 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113129994A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 邓玉良;唐越;殷中云;方晓伟;苏通;杨彬;陈佩纯 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 鲍竹 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储系统性能调节方法及存储系统；利用NAND FLASH存储器在辐照环境下易受总剂量效应影响的特性，NAND FLASH存储器不仅可以作为辐照总剂量的传感器，还可以通过调整NAND FLASH存储器工作模式以及系统ECC模式来提高整个系统在辐照环境下的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储系统 性能 调节 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市国微电子有限公司，未经深圳市国微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110335356.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种物理不可克隆单元及读取电路
- 下一篇：一种可变角度航空倾斜摄影系统
