[发明专利]一种存储系统性能调节方法及存储系统

权利要求书

1.一种存储系统性能调节方法，其特征在于，所述存储系统性能调节方法包括：

获取NAND FLASH存储器阈值电压与总剂量的对应关系查找表；

定时监测所述NAND FLASH存储器的当前阈值电压；

存储器控制器根据所述当前阈值电压调整所述NAND FLASH存储器的工作模式及系统工作模式。

2.根据权利要求1所述的存储系统性能调节方法，其特征在于，所述获取NAND FLASH存储器阈值电压与总剂量的对应关系查找表包括：

在所述NAND FLASH存储器中写入数据，进行总剂量辐照实验；

逐步增加剂量，获取当前所述总剂量的NAND FLASH存储器的阈值电压；

整理所述NAND FLASH存储器阈值电压与所述总剂量的对应关系得到所述对应关系查找表。

3.根据权利要求2所述的存储系统性能调节方法，其特征在于，所述总剂量辐照实验包括对所述NAND FLASH存储器进行钴60γ射线辐照。

4.根据权利要求1所述的存储系统性能调整方法，其特征在于，所述定时监测所述NANDFLASH存储器的当前阈值电压包括：

定时通过read retry的方式读取NAND FLASH存储数据，得到当前的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的存储系统性能调节方法，其特征在于，所述存储器控制器根据所述当前阈值电压调整所述NAND FLASH存储器的工作模式及系统工作模式包括：

根据所述当前阈值电压计算阈值电压偏移量ΔV_th；

设定数据值N，比较所述数据值N与所述阈值电压偏移量ΔV_th的大小关系；

根据得到的所述大小关系，调节所述NAND FLASH存储器的工作模式及系统工作模式。

6.根据权利要求5所述的存储系统性能调节方法，其特征在于，所述根据所述当前阈值电压计算阈值电压偏移量ΔV_th的计算方式为：

偏移量ΔV_th＝初始阈值电压值-当前阈值电压值。

7.根据权利要求5所述的存储系统性能调节方法，其特征在于，所述初始阈值电压为器件规格书中设定的预置电压范围。

8.根据权利要求5所述的存储系统性能调节方法，其特征在于，所述数据值N为偏移的阈值电压不能通过改变读参考电压优化而设定的临界值。

9.根据权利要求5所述的存储系统性能调节方法，其特征在于，所述根据得到的所述大小关系，调节所述NAND FLASH存储器的工作模式及系统工作模式包括：

在所述ΔV_th＜N时，改变所述NAND FLASH存储器的读参考电压，使所述读参考电压等于当前的阈值电压；

在所述ΔV_th＞N时，改变所述NAND FLASH存储器的读参考电压，使所述读参考电压等于当前的阈值电压，同时将所述NAND FLASH存储器的工作模式改为SLC模式，同时所述存储系统数据校验模式采用BCH或LDPC算法。

10.一种存储系统，其特征在于，包括数据接口、控制器、存储器控制器、数据校验模块、电源模块、时钟电路、DRAM存储器和NAND FLASH存储器，所述存储系统用于实现上述权利要求1-9任一项所述的存储系统性能调节方法。