[发明专利]一种存储系统性能调节方法及存储系统

说明书

本发明提供了一种存储系统性能调节方法及存储系统；利用NAND FLASH存储器在辐照环境下易受总剂量效应影响的特性，NAND FLASH存储器不仅可以作为辐照总剂量的传感器，还可以通过调整NAND FLASH存储器工作模式以及系统ECC模式来提高整个系统在辐照环境下的可靠性。

技术领域

本发明属于存储技术领域，涉及一种存储系统性能调节方法及存储系统，尤其涉及一种基于NAND FLASH储存器的存储系统性能调节方法及存储系统。

背景技术

NAND型Flash存储器是一种非易失性存储器，由于其存储密度大，生产成本低，编程和擦除速度较快等优点在航天领域得到了广泛应用。

NAND FLASH存储器作为数据存储载体，是卫星电子系统的重要组成部分，随着近年来工艺尺寸的缩小，数据存储系统中的其它芯片如存储器控制器、动态存储器等，在辐照环境下受总剂量效应的影响越来越小，而NAND FLASH器件却很容易受总剂量效应影响，导致器件数据错误甚至功能失效。

因此针对NAND FLASH存储器对总剂量效应敏感的特点，通过对NAND FLASH工作模式及性能进行调整，提高整体系统在辐照环境下的可靠性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：本发明提供一种存储系统性能调节方法及存储系统，利用NAND FLASH存储器阈值电压与辐照总剂量之间的反馈关系，调节NAND FLASH存储器的工作模式以及存储系统ECC模式的方式，提高存储系统整体可靠性。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

本发明提供一种存储系统性能调节方法，其特征在于，所述存储系统性能调节方法包括：

获取NAND FLASH存储器阈值电压与总剂量的对应关系查找表；

定时监测所述NAND FLASH存储器的当前阈值电压；

存储器控制器根据所述当前阈值电压调整所述NAND FLASH存储器的工作模式及系统工作模式。

作为优选地，所述获取NAND FLASH存储器阈值电压与总剂量的对应关系查找表包括：

在所述NAND FLASH存储器中写入数据，进行总剂量辐照实验；

逐步增加辐照剂量，获取当前所述总剂量的NAND FLASH存储器的阈值电压；

整理所述NAND FLASH存储器阈值电压与所述总剂量的对应关系得到所述对应关系查找表。

作为优选地，所述总剂量辐照实验包括对所述NAND FLASH存储器进行钴60γ射线辐照。

作为优选地，所述定时监测所述NAND FLASH存储器的当前阈值电压包括：

定时通过read retry的方式读取NAND FLASH存储数据，得到当前的阈值电压。

作为优选地，所述存储器控制器根据所述当前阈值电压调整所述NAND FLASH存储器的工作模式及系统工作模式包括：

根据所述当前阈值电压计算阈值电压偏移量ΔV_th；

设定数据值N，比较所述数据值N与所述阈值电压偏移量ΔV_th的大小关系；

根据得到的所述大小关系，调节所述NAND FLASH存储器的工作模式及系统工作模式。

作为优选地，所述根据所述当前阈值电压计算阈值电压偏移量ΔV_th的计算方式为：

偏移量ΔV_th＝初始阈值电压值-当前阈值电压值