[发明专利]一种半导体器件及其测试方法有效

专利信息
申请号: 202110323464.6 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113097087B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 姚兰;华子群;胡思平 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李健
地址: 430205 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种半导体器件及其测试方法,包括第一半导体结构、第二半导体结构和设置在第一半导体结构和第二半导体结构之间的多条键合连接结构,该多条键合连接结构具有键合面。该第一半导体结构包括多个掺杂区,第二半导体结构包括掺杂衬底和位于掺杂衬底背面的多个导电垫,多条键合连接结构通过多个掺杂区和多个导电垫串联成链结构。由于链结构将多个掺杂区串联起来,对链结构进行电性测试可以检查掺杂区与键合面的互动影响,从而全面地检查键合面的健康情况,以提高产品的质量。
搜索关键词: 一种 半导体器件 及其 测试 方法
【主权项】:
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