[发明专利]一种半导体器件及其测试方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一半导体结构，包括多个掺杂区，所述掺杂区包括源极和漏极；

第二半导体结构，包括掺杂衬底和位于所述掺杂衬底远离所述第一半导体结构的背面的多个导电垫；

多条键合连接结构，设置在所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间，所述多条键合连接结构通过所述掺杂区和所述多个导电垫串联成链结构；

其中，所述多条键合连接结构具有键合面，所述链结构用于测试所述第一半导体结构的所述源极和所述漏极对所述键合面的影响。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述链结构包括多条且平行设置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区和所述导电垫在垂直方向交错设置，各所述掺杂区和各所述导电垫通过所述键合连接结构交替串联连接。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体结构为CMOS，所述多个掺杂区包括N型掺杂区和P型掺杂区，且所述链结构中所述N型掺杂区和所述P型掺杂区交替串联。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体结构为NAND，所述掺杂衬底包括P型掺杂区和高压P型阱区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体结构为DRAM，所述掺杂衬底包括P型掺杂区和N型掺杂区。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述键合连接结构在所述键合面具有第一键合触点和第二键合触点，所述第一键合触点和所述第二键合触点的材料为铜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述键合连接结构还包括与所述第一键合触点电连接的穿硅触点，所述穿硅触点穿过所述掺杂衬底与所述导电垫连接。

9.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体结构还包括衬底，所述衬底具有多个N型阱区和P型阱区，所述掺杂区中的P型掺杂区位于所述衬底的N型阱区中，所述掺杂区中的N型掺杂区位于所述衬底的P型阱区中。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述链结构围绕所述半导体器件的边缘设置。

11.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：

提供如权利要求1至10任一项所述的半导体器件，所述链结构包括第一端和第二端；

向所述链结构的第一端输入预设电信号；

在所述链结构的第二端采集输出电信号，以对所述链结构进行电性测试。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述链结构为平行设置的两条，所述测试方法还包括：

向其中一条所述链结构的第一端输入预设电压信号；

在另一条所述链结构的第二端采集输出电流信号，以测试两条所述链结构之间的绝缘性能。