[发明专利]具有减少的选择性损耗缺陷的源极/漏极形成在审
| 申请号： | 202110315459.0 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113506773A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张智强;游明华;舒丽丽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有减少的选择性损耗缺陷的源极/漏极形成。一种方法包括：分别在n型鳍式场效应晶体管(FinFET)区域和p型FinFET区域中形成第一半导体鳍和第二半导体鳍；分别在n型FinFET区域和p型FinFET区域中形成第一电介质鳍和第二电介质鳍；形成第一外延掩模以覆盖所述第二半导体鳍和所述第二电介质鳍；执行第一外延工艺以形成基于所述第一半导体鳍的n型外延区域；去除所述第一外延掩模；形成第二外延掩模以覆盖所述n型外延区域和所述第一电介质鳍；执行第二外延工艺以形成基于所述第二半导体鳍的p型外延区域；以及去除所述第二外延掩模。在去除所述第二外延掩模之后，所述第二外延掩模的第一部分留在所述第一电介质鳍上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 选择性 损耗 缺陷 形成 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
