[发明专利]半导体结构及其制作方法、外围电路有效
| 申请号： | 202110313417.3 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113078209B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 白杰;尤康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构制作方法、半导体结构以及外围电路。其中，半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；于衬底上形成栅极初始结构和残留物；使用第一清洗液去除残留物；其中，第一清洗液能够抑制残留物发生水解反应。本申请可以有效防止缺陷的产生，进而有效提高形成的栅极结构的品质和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 外围 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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