[发明专利]半导体结构及其制作方法、外围电路

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

于所述衬底上形成栅极初始结构和残留物；

使用第一清洗液去除所述残留物；

其中，所述第一清洗液能够抑制所述残留物发生水解反应；

所述残留物的水解反应产物不溶于水、有机物、酸或碱中的任一种或多种；

所述残留物包括LaCl3，所述第一清洗液包括HCL溶液。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述HCL溶液的浓度为1%-38%。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，

所述栅极初始结构包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述衬底上方，所述第二部分位于所述第一部分的上表面；所述第二部分在所述衬底上的正投影位于所述第一部分在所述衬底上的正投影的内部；

所述使用第一清洗液去除所述残留物之后，还包括：

使用第二清洗液对所述第一部分进行选择性刻蚀，所述第二清洗液对所述第一部分的刻蚀去除速率大于对所述第二部分及所述衬底的刻蚀去除速率，以使得保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与保留的所述第二部分在所述衬底上的正投影重合。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一部分包括在所述衬底上依次层叠设置的栅介质初始层与调节初始层，所述第二部分包括层叠设置的功函数初始层与栅极金属初始层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅介质初始层包括HfSiOx膜层，所述调节初始层包括LaO膜层以及第一TiN膜层，所述第二清洗液包括HF溶液或DSP溶液中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述功函数初始层包括多晶硅膜层与第二TiN膜层。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅极金属初始层包括金属钨膜层。

8.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成栅极初始结构之前，还包括：

于所述衬底上形成界面材料层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述使用所述第二清洗液对所述第一部分进行选择性刻蚀，所述第二清洗液对所述第一部分的刻蚀去除速率大于对所述第二部分及所述衬底的刻蚀去除速率，以使得保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与保留的所述第二部分在所述衬底上的正投影重合之后，还包括：

去除暴露的所述界面材料层，以形成界面层。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成栅极初始结构和残留物，包括：

在所述衬底上依次形成栅介质材料层、调节材料层、功函数材料层以及栅极金属材料层；

在所述栅极金属材料层上形成第一掩膜材料层；

对所述第一掩膜材料层进行图形化处理，形成第一掩膜层；

基于第一掩膜层依次对栅极金属材料层、功函数材料层、调节材料层以及栅介质材料层进行干法刻蚀，形成所述栅极初始结构，且产生所述残留物。

11.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二清洗液包括DSP溶液，所述DSP溶液中包括超纯水、硫酸和双氧水，所述超纯水、所述硫酸和所述双氧水的体积比为85-95：3-5：5-10。

12.一种半导体结构，其特征在于，通过权利要求1-11任一项所述的半导体结构的制作方法制作形成。

13.一种外围电路，其特征在于，包括权利要求12所述的半导体结构。