[发明专利]半导体结构及其制作方法、外围电路

说明书

本发明涉及一种半导体结构制作方法、半导体结构以及外围电路。其中，半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；于衬底上形成栅极初始结构和残留物；使用第一清洗液去除残留物；其中，第一清洗液能够抑制残留物发生水解反应。本申请可以有效防止缺陷的产生，进而有效提高形成的栅极结构的品质和产品良率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制作方法、外围电路。

背景技术

随着晶体管的尺寸缩小，栅介质层的厚度和源漏极之间的间距均进一步减小，使得栅极与漏极以及源极与漏极之间的漏电流急剧增加，传统的二氧化硅以及氮氧化硅等材料形成的栅介质层己经无法满足工业界的需求。

而高介电常数栅介质能够在保持栅电容不变的同时，增加栅介质的物理厚度，达到降低栅漏电流和提高器件可靠性的双重目的。因此，具有高介电常数介质层的栅极结构被广泛应用在集成电路(尤其是外围电路)的晶体管中。

然而，具有高介电常数介质层的栅极结构在制作过程中，会产生难以清除的刻蚀残留物导致缺陷，降低产品良率。

发明内容

基于此，有必要针对栅极结构形成过程中产生难以清洗的刻蚀残留物的问题，提供一种半导体结构制作方法、半导体结构以及外围电路。

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

于所述衬底上形成栅极初始结构和残留物；

使用第一清洗液去除所述残留物；

其中，所述第一清洗液能够抑制所述残留物发生水解反应。

在其中一个实施例中，所述残留物的水解反应产物不溶于水、有机物、酸或碱中的任一种或多种。

在其中一个实施例中，所述残留物包括LaCl3，所述第一清洗液包括HCL溶液。

在其中一个实施例中，所述HCL溶液的浓度为1％-38％。

在其中一个实施例中，

所述栅极初始结构包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述衬底上方，所述第二部分位于所述第一部分的上表面；所述第二部分在所述衬底上的正投影位于所述第一部分在所述衬底上的正投影的内部；

所述使用第一清洗液去除所述残留物之后，还包括：

使用第二清洗液对所述第一部分进行选择性刻蚀，所述第二清洗液对所述第一部分的刻蚀去除速率大于对所述第二部分及所述衬底的刻蚀去除速率，以使得保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与保留的所述第二部分在所述衬底上的正投影重合。

在其中一个实施例中，所述第一部分包括在所述衬底上依次层叠设置的栅介质初始层与调节初始层，所述第二部分包括层叠设置的功函数初始层与栅极金属初始层。

在其中一个实施例中，所述栅介质初始层包括HfSiOx膜层，所述调节初始层包括LaO膜层以及第一TiN膜层，所述第二清洗液包括HF溶液或DSP溶液中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述功函数初始层包括多晶硅膜层与第二TiN膜层。

在其中一个实施例中，所述栅极金属初始层包括金属钨膜层。

在其中一个实施例中，所述于所述衬底上形成栅极初始结构之前，还包括：

于所述衬底上形成界面材料层。