[发明专利]存储器件电容接点结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110312112.0 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN112992905B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 刘忠明;白世杰;陈龙阳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器件电容接点结构及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成若干条平行间隔排布的位线结构，位线结构沿第一方向延伸；在相邻位线结构之间形成导电层结构，导电层结构的上表面低于位线结构的上表面；在导电层结构上形成牺牲层；在牺牲层内形成若干条平行间隔排布的隔离沟槽，隔离沟槽沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；在隔离沟槽内形成隔离介质层；基于位线结构及隔离介质层去除牺牲层，以于相邻位线结构之间及相邻隔离介质层之间形成凹槽，凹槽暴露出导电层结构。电容接点结构是形成于相邻位线结构之间的导电层结构的一部分，避免了电容接点结构中形成缝隙，进而影响电容接点结构上方形成的电容结构与有源区的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 电容 接点 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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