[发明专利]存储器件电容接点结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种存储器件电容接点结构及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成若干条平行间隔排布的位线结构，位线结构沿第一方向延伸；在相邻位线结构之间形成导电层结构，导电层结构的上表面低于位线结构的上表面；在导电层结构上形成牺牲层；在牺牲层内形成若干条平行间隔排布的隔离沟槽，隔离沟槽沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；在隔离沟槽内形成隔离介质层；基于位线结构及隔离介质层去除牺牲层，以于相邻位线结构之间及相邻隔离介质层之间形成凹槽，凹槽暴露出导电层结构。电容接点结构是形成于相邻位线结构之间的导电层结构的一部分，避免了电容接点结构中形成缝隙，进而影响电容接点结构上方形成的电容结构与有源区的接触。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种存储器件电容接点结构及其制备方法。

背景技术

典型的半导体存储器件的制备过程中，形成电容接点结构的步骤包括：第一步，在位线结构之间填充作为牺牲层结构的SOD。第二步，在垂直位线结构的方向刻蚀去除部分SOD之后形成若干个隔离沟槽。第三步，在所述隔离沟槽中回填形成倒梯形的SIN隔离结构。第四步，进行刻蚀工艺，去除剩余的SOD牺牲层结构之后，得到被SIN隔离结构和位线结构包围的接触孔，然后刻蚀去除接触孔底部的结构，露出接触孔底部的有源区。第五步，在接触孔中填充与接触孔底部的有源区接触的多晶硅结构作为电容接点结构。但是，隔离沟槽方向的SIN隔离结构为倒梯形、位线结构为正梯形，因此，作为电容接点结构的多晶硅结构沿位线结构方向是正梯形、沿SIN隔离结构的方向是倒梯形，多晶硅结构中容易形成缝隙，进而影响多晶硅结构上方形成的电容结构与有源区的接触。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中多晶硅结构中容易形成缝隙，进而影响多晶硅结构上方形成的电容结构与有源区的接触的问题，提供一种存储器件电容接点结构及其制备方法。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种存储器件电容接点结构的制备方法，包括：

提供衬底，在衬底上形成若干条平行间隔排布的位线结构，位线结构沿第一方向延伸；

在相邻位线结构之间形成导电层结构，导电层结构的上表面低于位线结构的上表面；

在导电层结构上形成牺牲层；

在牺牲层内形成若干条平行间隔排布的隔离沟槽，隔离沟槽沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；

在隔离沟槽内形成隔离介质层；

基于位线结构及隔离介质层去除牺牲层，以于相邻位线结构之间及相邻隔离介质层之间形成凹槽，凹槽暴露出导电层结构。

在其中一个实施例中，位线结构包括叠层结构及侧墙结构，叠层结构包括叠置的主导电层及顶层介质层，侧墙结构位于叠层结构的侧壁；隔离沟槽位于位线结构正上方部分的深度小于顶层介质层的高度，隔离沟槽位于相邻位线结构之间部分的深度等于牺牲层的厚度和所述导电层结构的厚度之和。

在其中一个实施例中，侧墙结构为包括由内至外依次叠置的内层氮化硅层-中间氧化硅层-外层氮化硅层的叠层侧墙结构；去除牺牲层后还包括：去除侧墙结构位于导电层结构上方的外层氮化硅层及中间氧化硅层的步骤。

在其中一个实施例中，导电层结构包括多晶硅结构，牺牲层包括SOD层(旋涂绝缘介质层)。

在其中一个实施例中，通过湿法刻蚀工艺去除牺牲层。

在其中一个实施例中，湿法刻蚀工艺的腐蚀液包括氢氟酸及去离子水，腐蚀液中氢氟酸和去离子水的摩尔比为10:1～300：1。

在其中一个实施例中，在所述隔离沟槽内形成隔离介质层的步骤包括：

在隔离沟槽的侧壁和底部形成第一氮化硅层；

在第一氮化硅层的表面形成第一氧化硅层；