[发明专利]存储器件电容接点结构及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器件电容接点结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成若干条平行间隔排布的位线结构，所述位线结构沿第一方向延伸；

在相邻所述位线结构之间形成导电层结构，所述导电层结构的上表面低于所述位线结构的上表面；

在所述导电层结构上形成牺牲层；

刻蚀所述牺牲层及所述导电层结构，以在所述牺牲层及所述导电层结构内形成若干条平行间隔排布的隔离沟槽，所述隔离沟槽贯穿各所述位线结构且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；

在所述隔离沟槽内形成隔离介质层；其中，所述在所述隔离沟槽内形成隔离介质层的步骤包括：在所述隔离沟槽的侧壁和底部形成第一氮化硅层，在所述第一氮化硅层的表面形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层的表面形成第二氮化硅层；或在所述隔离沟槽的侧壁和底部形成第二氧化硅层，在所述第二氧化硅层的表面形成第三氮化硅层；

基于所述位线结构及所述隔离介质层去除所述牺牲层，以于相邻所述位线结构之间及相邻所述隔离介质层之间形成凹槽，所述凹槽暴露出所述导电层结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述位线结构包括叠层结构及侧墙结构，所述叠层结构包括叠置的主导电层及顶层介质层，所述侧墙结构位于所述叠层结构的侧壁。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述侧墙结构为包括由内至外依次叠置的内层氮化硅层-中间氧化硅层-外层氮化硅层的叠层侧墙结构；去除所述牺牲层后还包括：去除所述侧墙结构位于所述导电层结构上方的所述外层氮化硅层及所述中间氧化硅层的步骤。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电层结构包括多晶硅结构，所述牺牲层包括SOD层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，通过湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的腐蚀液包括氢氟酸及去离子水，所述腐蚀液中氢氟酸和去离子水的摩尔比为10:1～300：1。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二氮化硅层填满所述隔离沟槽，并覆盖所述牺牲层及所述位线结构的上表面，去除所述牺牲层之前还包括：

采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层上表面的第二氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向正交。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述有源区的上表面形成有绝缘层；所述在相邻所述位线结构之间形成导电层结构之前还包括去除位于相邻所述位线结构之间的所述有源区上表面的所述绝缘层，以暴露出所述有源区的步骤；所述导电层结构与所述有源区相接触。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底内形成有若干条平行间隔排布的埋入式栅极字线，所述埋入式栅极字线沿所述第二方向延伸。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离沟槽位于所述位线结构正上方部分的深度小于顶层介质层的高度，所述隔离沟槽位于相邻所述位线结构之间部分的深度等于所述牺牲层的厚度和所述导电层结构的厚度之和。

13.一种存储器件电容接点结构，其特征在于，所述存储器件电容接点结构是通过权利要求1-12任一项所述的制备方法制成的。