[发明专利]一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法有效
| 申请号： | 202110302502.X | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113061985B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B28/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市高新技术产业开发区哈工大沿海*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决PVT法制备碳化硅晶体时碳硅比分布不均的问题，本发明提供了一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法，向石墨坩埚中加入碳化硅粉料，在碳化硅粉料中心位置插入辅助碳源，在石墨坩埚盖上粘接籽晶，组合石墨坩埚体与石墨坩埚盖，进行碳化硅晶体生长，得到碳化硅晶体；所述辅助碳源包括长条形中心基体和设置在所述中心基体外表面的若干翅片，所述翅片的长度方向与中心基体的长度方向平行，所述中心基体底部设有锥形插入部。本发明平衡了整个籽晶生长面的碳的供应，实现晶体的均衡快速的生长，抑制晶体生长平衡的逆向移动导致的石墨化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 调节 分布 提高 晶体 质量 方法 | ||
【主权项】：
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