[发明专利]一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法有效
| 申请号： | 202110302502.X | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113061985B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B28/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市高新技术产业开发区哈工大沿海*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 调节 分布 提高 晶体 质量 方法 | ||
1.一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法，其特征在于，向石墨坩埚中加入碳化硅粉料(4)，在碳化硅粉料(4)中心位置插入辅助碳源(5)，在石墨坩埚盖(1)上粘接籽晶(3)，组合石墨坩埚体(2)与石墨坩埚盖(1)，进行碳化硅晶体生长，得到碳化硅晶体；所述辅助碳源(5)包括长条形中心基体(501)和设置在所述中心基体(501)外表面的若干翅片(502)，所述翅片(502)的长度方向与中心基体(501)的长度方向平行，所述中心基体(501)底部设有锥形插入部(503)；
其中辅助碳源的材料为石墨或无定形碳，杂质含量小于100ppm，孔隙率为10～40％，平均烧结颗粒直径为10～200μm；
其中辅助碳源结构中翅片(502)的个数为3、4、5或6个，翅片(502)横截面所在外接圆的直径与坩埚内径的比例为1:1.5～1:4，中心基体(501)与翅片(502)长度相等且均为粉料上表面与坩埚盖之间空腔距离的0.1～0.8倍，插入部(503)的长度为粉料厚度的0.1～0.5倍。
2.根据权利要求1所述一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法，其特征在于，所述碳化硅粉料的粒径为100μm。
3.根据权利要求1所述一种通过调节碳硅比分布提高晶体质量的方法，其特征在于，所述碳化硅晶体生长的具体条件为石墨坩埚内部抽真空到4～10Torr，以300℃/h升温至700℃，保温保压5h，充入氩气到0.1atm，继续300℃/h升温到2200℃，保温保压40h完成碳化硅晶体生长，自然冷却到500℃，充入氩气冷却到室温。
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