[发明专利]一种集成抗辐射高压SOI器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110294943.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113066855B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李燕妃;孙家林;朱少立;谢儒彬;顾祥;吴建伟;洪根深;贺琪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成抗辐射高压SOI器件及其制造方法，属于半导体领域。在高压PMOS器件和高压ESD器件中同时形成第三P型掺杂区，高压ESD器件的触发电压由第三P型掺杂区和N型外延层的结击穿决定，根据电路的工作电压，可以进行该结击穿设计。集成的高压ESD器件，在第二P型掺杂区的表面引入第三P型掺杂区，增加了寄生三极管NPN器件的基区浓度，降低基区输运系数，避免单粒子辐射情况下，高压ESD器件提前开启，从而提高器件的抗单粒子闩锁能力，同时还提高了器件的维持电压。埋氧化层上面的第一P型掺杂区降低了寄生NPN三极管发射结并联电阻，提高寄生NPN三极管的开启门限，从而进一步提高ESD器件的抗单粒子闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 辐射 高压 soi 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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