[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110284822.7 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113451511A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括接点结构、第一钝化层、底导体板层、第二介电层、中间导体板层、第三介电层、顶导体板层及第二钝化层。接点结构位于第一介电层中；第一钝化层位于接点结构上；底导体板层位于第一钝化层上，且底导体板层包括多个第一子层；第二介电层位于底导体板层上；中间导体板层位于第二介电层上，且中间导体板层包括多个第二子层；第三介电层位于中间导体板层上；顶导体板层位于第三介电层上，且顶导体板层包括多个第三子层；第二钝化层位于顶导体板层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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