[发明专利]半导体装置

说明书

本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括接点结构、第一钝化层、底导体板层、第二介电层、中间导体板层、第三介电层、顶导体板层及第二钝化层。接点结构位于第一介电层中；第一钝化层位于接点结构上；底导体板层位于第一钝化层上，且底导体板层包括多个第一子层；第二介电层位于底导体板层上；中间导体板层位于第二介电层上，且中间导体板层包括多个第二子层；第三介电层位于中间导体板层上；顶导体板层位于第三介电层上，且顶导体板层包括多个第三子层；第二钝化层位于顶导体板层上。

技术领域

本发明实施例涉及金属-绝缘层-金属电容器，尤其涉及导体板层的结构与组成。

背景技术

半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计中的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。然而这些进展会增加制造与处理集成电路的复杂度。为实现这些进展，制造与处理集成电路的方法亦须类似进展。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件)缩小而增加。

随着集成电路装置的几何尺寸减少，需要较大表面积的无源装置移动到后段工艺结构。金属-绝缘层-金属电容器为此类无源装置的例子。一般的金属-绝缘层-金属电容器包括多个导体板层，其彼此隔有多个介电层以绝缘。导体板层的组成为金属氧化物可避免因接触含氧介电层而劣化。虽然具有导电性，金属氮化物的导电性仍不如金属。虽然现有的金属-绝缘层-金属结构与其制作工艺通常适用于其预期目的，但无法完全满足所有方面的需求。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。

本发明一实施例关于半导体装置。半导体装置包括接点结构，位于第一介电层中；第一钝化层，位于接点结构上；底导体板层，位于第一钝化层上，且底导体板层包括多个第一子层；第二介电层，位于底导体板层上；中间导体板层，位于第二介电层上，且中间导体板层包括多个第二子层；第三介电层，位于中间导体板层上；顶导体板层，位于第三介电层上，且顶导体板层包括多个第三子层；以及第二钝化层，位于顶导体板层上。

本发明另一实施例关于金属-绝缘层-金属结构。金属-绝缘层-金属结构包括底导体板层；第一介电层，位于底导体板层上；中间导体板层；第三介电层，位于中间导体板层上；以及顶导体板层，位于第三介电层上，其中底导体板层、中间导体板层、与顶导体板层各自包含第一导电阻挡层、第二导电阻挡层、与金属层。

本发明又一实施例关于半导体装置的形成方法。方法包括提供工件，包括导电结构；沉积第一绝缘层于导电结构上；形成多层底导体板层于第一绝缘层上；沉积第一介电层于多层底导体板层上；形成多层中间导体板层于第一介电层上；沉积第二介电层于多层中间导体板层上；形成多层顶导体板层于第二介电层上；以及沉积第二绝缘层于多层顶导体板层上。

附图说明

图1为本发明实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

图2至图13为本发明实施例中，工件于制作的多种阶段的剖视图。

附图标记如下：

TT:总厚度

T1:第一厚度

T2:第二厚度

T3:第三厚度

100:方法

102,104,106,108,110,112,114,116,118,120,122:步骤

200:工件

202:基板

210:内连线层

220:碳化物层

230:氧化物层