[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110284822.7 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113451511A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一接点结构，位于一第一介电层中；
一第一钝化层，位于该接点结构上；
一底导体板层，位于该第一钝化层上，且该底导体板层包括多个第一子层；
一第二介电层，位于该底导体板层上；
一中间导体板层，位于该第二介电层上，且该中间导体板层包括多个第二子层；
一第三介电层，位于该中间导体板层上；
一顶导体板层，位于该第三介电层上，且该顶导体板层包括多个第三子层；以及
一第二钝化层，位于该顶导体板层上。
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