[发明专利]密封环及其形成方法有效
| 申请号： | 202110268978.6 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113053828B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 闫华;黄信斌 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 赵新龙;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种密封环及其形成方法，方法包括：提供半导体基底；在半导体基底上形成第一金属层，第一金属层内具有子介质层；刻蚀子介质层以在第一金属层内形成凹槽，在凹槽内和第一金属层上形成插销金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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