[发明专利]密封环及其形成方法

说明书

本发明实施例涉及一种密封环及其形成方法，方法包括：提供半导体基底；在半导体基底上形成第一金属层，第一金属层内具有子介质层；刻蚀子介质层以在第一金属层内形成凹槽，在凹槽内和第一金属层上形成插销金属层。

技术领域

本发明总体来说涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种密封环及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路产业已经历快速成长。随着半导体器件的尺寸不断减小，对芯片外围的密封环所起到防止湿气、离子进入芯片内部以及防止裂缝向芯片内传播的作用的要求越来越高。然而，相关技术中的密封环的防护效果并不理想。

发明内容

本发明提供的密封环及其形成方法，密封环的防护效果更强。

本发明实施例的密封环的形成方法，包括：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成第一金属层，所述第一金属层内具有子介质层；以及

刻蚀所述子介质层以在所述第一金属层内形成凹槽，在所述凹槽内和所述第一金属层上形成插销金属层。

根据本发明的一些实施方式，在所述半导体基底上形成第一金属层，所述第一金属层内具有子介质层，包括：

在所述半导体基底上形成第一介质层；以及

在所述第一介质层内形成具有所述子介质层的所述第一金属层。

根据本发明的一些实施方式，在所述第一介质层内形成具有所述子介质层的所述第一金属层，包括：

在所述第一介质层内形成第一布线槽，以及位于所述第一布线槽内的所述子介质层；

采用金属材料填充所述第一布线槽。

根据本发明的一些实施方式，刻蚀所述子介质层以在所述第一金属层内形成凹槽，在所述凹槽内和所述第一金属层上形成插销金属层，包括：

在所述第一金属层上形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第二介质层内形成插销槽和在所述第一金属层内形成凹槽；

采用金属材料同时填充所述凹槽和所述插销槽。

根据本发明的一些实施方式，刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第二介质层内形成插销槽和在所述第一金属层内形成凹槽，包括：

刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第二介质层内形成第一孔洞，在所述第一金属层内形成所述凹槽，所述第一孔洞连通所述凹槽；

刻蚀所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽，所述第二布线槽与所述第一孔洞连通，整体作为所述插销槽。

根据本发明的一些实施方式，刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第二介质层内形成插销槽和在所述第一金属层内形成凹槽，包括：

刻蚀所述第二介质层以形成第一孔洞，所述第一孔洞对应所述子介质层，所述第一孔洞的底部暴露所述子介质层的顶面；

刻蚀所述子介质层形成所述凹槽，并刻蚀所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽，所述第二布线槽与所述第一孔洞连通，整体作为所述插销槽，且所述插销槽连通于所述凹槽。

根据本发明的一些实施方式，刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第二介质层内形成插销槽和在所述第一金属层内形成凹槽，包括：

刻蚀所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽；

刻蚀所述第二布线槽的底部，以在所述第二介质层内形成第一孔洞；