[发明专利]密封环及其形成方法

权利要求书

1.一种密封环的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成第一金属层，所述第一金属层内具有子介质层；

在所述第一金属层上形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第一金属层内形成凹槽，在所述第二介质层内形成第一孔洞，且在所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽；所述第一孔洞与所述第二布线槽连通，并整体作为插销槽，所述插销槽连通于所述凹槽；

采用金属材料同时填充所述凹槽和所述插销槽，以形成插销金属层。

2.根据权利要求1所述的密封环的形成方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成第一金属层，所述第一金属层内具有子介质层，包括：

在所述半导体基底上形成第一介质层；以及

在所述第一介质层内形成具有所述子介质层的所述第一金属层。

3.根据权利要求2所述的密封环的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层内形成具有所述子介质层的所述第一金属层，包括：

在所述第一介质层内形成第一布线槽，以及位于所述第一布线槽内的所述子介质层；

采用金属材料填充所述第一布线槽。

4.根据权利要求1所述的密封环的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第一金属层内形成凹槽，在所述第二介质层内形成第一孔洞，且在所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽，包括：

刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以同时在所述第二介质层内形成所述第一孔洞，在所述第一金属层内形成所述凹槽，所述第一孔洞连通所述凹槽；

刻蚀所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成所述第二布线槽。

5.根据权利要求1所述的密封环的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第一金属层内形成凹槽，在所述第二介质层内形成第一孔洞，且在所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽，包括：

刻蚀所述第二介质层以形成所述第一孔洞，所述第一孔洞对应所述子介质层，所述第一孔洞的底部暴露所述子介质层的顶面；

刻蚀所述子介质层形成所述凹槽，并刻蚀所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成所述第二布线槽。

6.根据权利要求1所述的密封环的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第一金属层内形成凹槽，在所述第二介质层内形成第一孔洞，且在所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽，包括：

刻蚀所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成所述第二布线槽；

刻蚀所述第二布线槽的底部，以在所述第二介质层内形成所述第一孔洞；

刻蚀所述子介质层形成所述凹槽，所述凹槽连通所述第一孔洞。

7.根据权利要求1所述的密封环的形成方法，其特征在于，在所述第一金属层上形成第二介质层之前，还包括：

在所述第一金属层上形成层间阻挡层，所述层间阻挡层至少覆盖所述第一金属层和所述子介质层。

8.根据权利要求7所述的密封环的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层和所述子介质层，以分别在所述第一金属层内形成凹槽，在所述第二介质层内形成第一孔洞，且在所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成第二布线槽，包括：

刻蚀所述第二介质层、所述层间阻挡层和所述子介质层，以同时在所述第二介质层内形成所述第一孔洞，在所述第一金属层内形成所述凹槽，所述第一孔洞连通所述凹槽；

刻蚀所述第二介质层远离所述半导体基底的表面形成所述第二布线槽。