[发明专利]一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构在审
| 申请号： | 202110264931.2 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114764780A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 潘伟伟;蓝帆 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/13;G06T7/181 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了识别光刻缺陷热点图形的方法，包括：确定版图的待识别层；预设宽度范围，识别初始边；预设RightSpace范围和LeftSpace范围，识别Edge_out；将所述plg_out中，满足一侧边为Fit_width_e_LSW且另一侧边为Fit_width_e_RSW的多边形区域识别为plg_out_plus，即目标图形。本发明的方法能快捷准确的识别出光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁。本发明还提供了一种光刻缺陷热点图形结构，能快速辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 识别 光刻 缺陷 热点 图形 方法 结构 | ||
【主权项】：
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