[发明专利]一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构

权利要求书

1.一种识别光刻缺陷热点图形的方法，其特征在于：包括：

步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层；

步骤S2.预设宽度范围width，设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；将线宽在所述width范围内的图形识别为初始多边形，并将其沿图形走向的轮廓边识别为初始边；

步骤S3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区；

步骤S4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边；

步骤S5.将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out，并将plg_out两侧的边识别为Edge_out；

步骤S6.将所述Edge_out与相邻图形之间的间距在预设的RightSpace范围内的间隔区域识别为Fit_RS_plus，将所述Edge_out与相邻图形之间的间距在预设的LeftSpace范围内的间隔区域识别为Fit_LS_plus；

步骤S7.所述Fit_LS_plus的一侧与所述plg_out接触，将与Fit_LS_plus另一侧接触的图形中线宽在预设的W1范围内的多边形区域识别为plg_out_LS，并将所述plg_out_LS中与所述Fit_LS_plus接触的轮廓边识别为Fit_LSW_e；

所述Fit_RS_plus的一侧与所述plg_out接触，将与Fit_RS_plus另一侧接触的图形中线宽在预设的W2范围内的多边形区域识别为plg_out_RS，并将所述plg_out_RS中与所述Fit_RS_plus接触的轮廓边识别为Fit_RSW_e；

步骤S8.将所述Fit_LSW_e与所述Edge_out之间的间隔区域识别为Fit_LSW，将所述Fit_RSW_e与所述Edge_out之间的间隔区域识别为Fit_RSW；

步骤S9.将所述plg_out中与所述Fit_LSW接触的轮廓边识别为Fit_width_e_LSW，将所述plg_out中与所述Fit_RSW接触的轮廓边识别为Fit_width_e_RSW；

将所述plg_out中，满足一侧轮廓边为Fit_width_e_LSW且另一侧轮廓边为Fit_width_e_RSW的多边形区域识别为plg_out_plus；所述plg_out_plus为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。

2.根据权利要求1所述的一种识别光刻缺陷热点图形的方法，其特征在于：所述步骤S3中相邻图形之间的间距，是指所述初始多边形与其相邻图形之间的间距。

3.根据权利要求1所述的一种识别光刻缺陷热点图形的方法，其特征在于：所述第一间隔区、第二间隔区、Fit_RS_plus、Fit_LS_plus、Fit_LSW和Fit_RSW都是多边形。

4.根据权利要求1所述的一种识别光刻缺陷热点图形的方法，其特征在于：所述待识别层是多晶硅层、金属层或有源区层中的一层或多层。

5.根据权利要求1所述的一种识别光刻缺陷热点图形的方法，其特征在于：在版图的待识别层中，所有图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形走向边。

6.一种光刻缺陷热点图形结构，其特征在于：通过权利要求1-5任意一项所述的一种识别光刻缺陷热点图形的方法识别得到，包括图层及图层上的光刻缺陷热点图形。